厂家介绍碳化硅的基本特性

　　碳化硅是一种合成材料 ，主要是由石英砂和石油焦等经过高温冶炼而成的。碳化硅的应用领域非常的广，在化工业和冶炼行业，电子元件行业等均有使用。碳化硅是什么？它有什么样的特性呢？下面我们来为大家详细介绍一下。
碳化硅的基本属性
化学属性
抗化合性：碳化硅材料在氧气中反应温度达到1300℃时，在其碳化硅晶体表层已经生成二氧化硅保护层。随着保护层的加厚，抵制了里面碳化硅继续被化合，这使碳化硅有较好的抗化合性。当气温达到1900K（1627℃）以上时，二氧化硅保护膜已经被破坏，碳化硅化合效应加重，从而1900K是碳化硅在氧化剂氛围下的工作气温
耐酸碱性：在耐酸、碱及化合物的效用方面，因为二氧化硅保护膜的效用，碳化硅的抗酸能力非常非常强，抗碱性稍差
物理性能
密度：各样碳化硅晶形的颗粒密度十分相近，通常情况下，应该是3。20 g/mm3，其碳化硅磨料的堆砌密度在1。2--1。6 g/mm3之间，其高矮取决于其粒度号、粒度合成和颗粒形状的大小。
硬度： 碳化硅的硬度为：莫氏9。5级。单晶硅的硬度为：莫氏7级。多晶硅的硬度为：莫氏7级。都是硬度相对较高的物料。努普硬度为2670—2815公斤/毫米，在磨料中高于刚玉而仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼
导热率：碳化硅制品的导热率非常高，热膨胀参数小，抗热震性非常高，是耐火材料。
电学属性
恒温下工业碳化硅是一种半导体，属杂质导电性。高纯度碳化硅随着气温的升高内阻率降低，含杂质碳化硅按照其含杂质不一样，导电性能也不一样
亲水性好
众所周知， SiC是共价键很强的化合物。按照Pauling对电负性的计算， SiC 中Si一C键的离子性仅12%左右。因此，SiC 的硬度高、弹性模量大， 具有优良的耐磨损性能。值得指出的是， SiC氧化时， 表面形成的二氧化硅层会抑制氧的进一步扩散， 因而， 其氧化速率并不高。在电性能方面， SiC具有半导体特性， 少量杂质的引入会使其表现出良好的导电性：此外，SiC 还具有优良的导热性。

介绍了这么多碳化硅的性能，相信大家对碳化硅已经有了一定的了解。如果您想深入了解碳化硅，可以致电我们碳化硅生产厂家进行了解。